Електронні частин : RFP10N12

Виробник : GESS[GE

Упаковка :

Pins :

Опис : N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Температура : Хв °C | Макс °C

Datasheet : RFP10N12 PDF

• RFP10N12
• RFP10N12L
• RFP10N15
• RFP10N15L
• RFP10P03L
• RFP10P12
• RFP10P15