Електронні частин : K4H511638B-G

Виробник : SAMSUNG[Samsung semiconductor]

Упаковка :

Pins :

Опис : 512Mb B-die SDRAM Specification

Температура : Хв °C | Макс °C

Datasheet : K4H511638B-G PDF

• K4H511638
• K4H511638A-TCA0
• K4H511638A-TCA2
• K4H511638A-TCB0
• K4H511638A-TLA0
• K4H511638A-TLA2
• K4H511638A-TLB0
• K4H511638B-G
• K4H511638B-GC/LA2
• K4H511638B-GC/LB0
• K4H511638B-GC/LB3
• K4H511638B-GC/LCC
• K4H511638B-GCLA2
• K4H511638B-GCLB0
• K4H511638B-GCLB3