Електронні частин : GT30J121

Виробник : Toshiba Semiconductor

Упаковка :

Pins :

Опис : TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT

Температура : Хв °C | Макс °C

Datasheet : GT30J121 PDF

• GT30J101
• GT30J10106
• GT30J101_06
• GT30J121
• GT30J12106
• GT30J121_06
• GT30J122
• GT30J301
• GT30J311
• GT30J322
• GT30J324
• GT30J32406
• GT30J324_06