Електронні частин : GT10J312_06

Виробник : Toshiba Semiconductor

Упаковка :

Pins :

Опис : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Температура : Хв °C | Макс °C

Datasheet : GT10J312_06 PDF

• GT10J311
• GT10J312
• GT10J312(SM)
• GT10J31206
• GT10J312SM
• GT10J312_06