Електронні частин : F1001

Виробник : POLYFET[Polyfet Devices]

Упаковка :

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Опис : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Температура : Хв °C | Макс °C

Datasheet : F1001 PDF

• F10
• F10-SERIES
• F1001
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